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LED芯片制造工藝流程
發(fā)表日期:2018/10/31 15:49:37    文章編輯:彩光科技    瀏覽次數(shù):1505   

外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺(tái)圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測(cè)試。


其實(shí)外延片的生產(chǎn)制作過(guò)程是非常復(fù)雜的,在展完外延片后,下一步就開(kāi)始對(duì)LED外延片做電極(P極,N極),接著就開(kāi)始用激光機(jī)切割LED外延片(以前切割LED外延片主要用鉆石刀),制造成芯片后,在晶圓上的不同位置抽取九個(gè)點(diǎn)做參數(shù)測(cè)試. 


1、主要對(duì)電壓、波長(zhǎng)、亮度進(jìn)行測(cè)試,能符合正常出貨標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)的晶圓片再繼續(xù)做下一步的操作,如果這九點(diǎn)測(cè)試不符合相關(guān)要求的晶圓片,就放在一邊另外處理。


2、晶圓切割成芯片后,100%的目檢(VI/VC),操作者要使用放大30倍數(shù)的顯微鏡下進(jìn)行目測(cè)。


3、接著使用全自動(dòng)分類機(jī)根據(jù)不同的電壓,波長(zhǎng),亮度的預(yù)測(cè)參數(shù)對(duì)芯片進(jìn)行全自動(dòng)化挑選、測(cè)試和分類。


4、最后對(duì)LED芯片進(jìn)行檢查(VC)和貼標(biāo)簽。芯片區(qū)域要在藍(lán)膜的中心,藍(lán)膜上最多有5000粒芯片,但必須保證每張藍(lán)膜上芯片的數(shù)量不得少于1000粒,芯片類型、批號(hào)、數(shù)量和光電測(cè)量統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)記錄在標(biāo)簽上,附在蠟光紙的背面。藍(lán)膜上的芯片將做最后的目檢測(cè)試與第一次目檢標(biāo)準(zhǔn)相同,確保芯片排列整齊和質(zhì)量合格。這樣就制成LED芯片(目前市場(chǎng)上統(tǒng)稱方片)。



在LED芯片制作過(guò)程中,把一些有缺陷的或者電極有磨損的芯片,分撿出來(lái),這些就是后面的散晶,此時(shí)在藍(lán)膜上有一些不符合正常出貨要求的晶片,也就自然成了邊片或毛片等。

剛才談到在晶圓上的不同位置抽取九個(gè)點(diǎn)做參數(shù)測(cè)試,對(duì)于不符合相關(guān)要求的晶圓片作另外處理,這些晶圓片是不能直接用來(lái)做LED方片,也就不做任何分檢了,直接賣給客戶了,也就是目前市場(chǎng)上的LED大圓片(但是大圓片里也有好東西,如方片)。

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